等离子蚀刻机蚀刻加工可分为两个全过程：，等离子里的有机化学活性组分，这种活性组分与液体原材料化学物质发生反应，形成挥发物化学物质，同时向表面扩散、排出来。以CF4为例子，其电离度物F与S反应生成SiF4汽体，在含Si原材料的表面形成微切削构造。等离子蚀刻加工就是指正离子蚀刻加工、磁控溅射蚀刻加工和等离子灰化等过程。
等离子蚀刻机改性材料深度在于底材环境温度、等待时间各种材料蔓延特点，而改性材料的种类在于底材和工艺指标。等离子只有在表面上蚀刻加工好多个μm深，其表面特性出现了改变，但大部分原材料表面特性仍然能够维持。该方法还可用于表层清理、干固、钝化处理、更改吸水性和黏附性等，一样可用于半导体集成电路的制造过程中，还可以在光学显微镜下注意到试品变软。化学变化能通过有机化学磁控溅射造成挥发物物质。常见气体包含Ar、He、O2、H2、H2O、CO2、Cl2、F2和有机化学蒸汽等。可塑性无机化合物磁控溅射比具备化学变化的等离子磁控溅射更贴近物理现象。
在蚀刻中，密度高的等离子源具备很多特点，能够更准确地操纵产品工件规格，蚀刻加工率更高，原材料可选择性更强。多层的等离子源能在低压下运行，因此能变弱鞘层震荡。在芯片的蚀刻加工环节中，选用高密度的等离子源蚀刻技术，必须运用单独的微波射频源对圆晶开展阈值电压，使能量和正离子互不相关。因为离子的动能一般在几个电子伏数量级，因此当正离子进到负鞘层后，根据动能加快会达到几百电子伏，而且具有较高的导向性，从而使得正离子蚀刻加工具备各种各样。